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Nexperia新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247 封装的新器件，导通电阻RDS(on)降低到仅 41mΩ（最大值，25℃的典型值为 35mΩ），同时具有高的栅级阀值电压和低反向导通电压。...

Nexperia新款P沟道MOSFET面向极性反接保护；作为高边开关，用于座位调节、天窗和车窗控制等各种汽车应用。它们也适用于5G基站等工业应用场景。...

Nexperia MOSFET采用了DFN0606封装，占位面积仅为0.62 x 0.62 mm，与前一代DFN1006器件相比，节省了超过36%的空间。由于采用了先进工艺流程，这些新器件提供低导通电阻RDS(on)，与竞争对手产品相比减小了60%以上...

据披露，Frans Scheper还将在未来一段时间内担任董事长私人顾问，继续帮助实现平稳过渡。董事会谨对首席执行官（之前担任NXP 标准产品事业部总经理）Frans Scheper所取得的成就表示由衷的感谢和尊重。...

安世半导体新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅（SCR）技术，USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容（低至0.1 pF）；极低钳位电压 动态电阻低至0.1 Ω）以及非常稳健的防浪涌与ESD性能...